Réactions épitactiques et topotactiques
Épitactique : similarité structurale restreinte à la surface/interface. entre deux couches de cristaux. Topotactique : Similitude structurelle à travers le cristal. La facilité de nucléation dépend également de la structure de surface réelle des réactifs.
Qu’est-ce que la réaction topotactique et épitactique?
On montre que la séléniuration de films minces d’argent à température élevée est une réaction topotactique, provoquée par la nucléation épitactique du séléniure d’argent à haute température sur la surface d’argent, suivie d’une transformation de phase en phase à basse température.
Qu’est-ce que le processus épitaxial ?
L’épitaxie fait référence au dépôt d’une surcouche sur un substrat cristallin, où la surcouche est en alignement avec le substrat. La surcouche est appelée film épitaxial ou couche épitaxiale.
A quoi sert l’épitaxie ?
L’épitaxie est utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs pour créer une couche de base cristalline parfaite sur laquelle construire un dispositif semi-conducteur, pour déposer un film cristallin avec des propriétés électriques techniques ou pour modifier les attributs mécaniques d’une sous-couche de manière à améliorer sa conductivité électrique.
Qu’est-ce que la croissance épitaxiale dans la fabrication de circuits intégrés ?
L’épitaxie est le procédé de croissance contrôlée d’une couche cristalline dopée de silicium sur un substrat monocristallin. Métallisation et interconnexions. Après toutes les étapes de fabrication du semi-conducteur d’un dispositif ou d’un circuit intégré sont. terminé, il devient nécessaire de prévoir des interconnexions métalliques pour le.
Qu’est-ce que l’épitaxie et ses types ?
L’épitaxie fait référence à un type de croissance cristalline ou de dépôt de matériau dans lequel de nouvelles couches cristallines sont formées avec une ou plusieurs orientations bien définies par rapport à la couche de germe cristallin. Le terme épitaxie vient des racines grecques epi (ἐπί), signifiant “au-dessus”, et taxis (τάξις), signifiant “une manière ordonnée”.
Pourquoi avons-nous besoin d’une croissance épitaxiale ?
La croissance épitaxiale est une méthode hautement contrôlable pour assembler systématiquement des matériaux dissemblables dans des structures artificielles avec une précision à l’échelle atomique (schlom et al., 2008).
Quel gaz est utilisé pour la croissance épitaxiale ?
Pendant le cycle de croissance épitaxiale, les tranches de GaAs pré-nettoyées sont chargées dans une chambre de réacteur en quartz vertical contenant un réservoir supérieur de gallium liquide élémentaire sur lequel le gaz HCl anhydre est dosé, formant GaCl3.
Qu’entend-on par autodopage ?
procédé par lequel une fine couche de matériau monocristallin est déposée sur un substrat monocristallin; la croissance épitaxiale se produit de telle manière que la structure cristallographique du substrat est reproduite dans le matériau en croissance ; également les défauts cristallins du substrat sont reproduits dans le matériau en croissance. surdiffusion.
Qu’est-ce qu’un semi-conducteur ?
Semi-conducteurs. Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ont une conductivité entre les conducteurs (généralement les métaux) et les non-conducteurs ou les isolants (comme la plupart des céramiques). Les semi-conducteurs peuvent être des éléments purs, tels que le silicium ou le germanium, ou des composés tels que l’arséniure de gallium ou le séléniure de cadmium.
Qu’est-ce qu’un transistor au silicium épitaxial ?
transistor épitaxial en anglais britannique (ˌɛpɪˈtæksɪəl) un transistor réalisé en déposant une fine couche pure de matériau semi-conducteur (couche épitaxiale) sur un support cristallin par épitaxie. La couche agit comme l’une des régions d’électrode, généralement le collecteur. Dictionnaire anglais Collins.
Qu’est-ce que l’hétéroépitaxie ?
L’hétéroépitaxie est un cas particulier de nucléation hétérogène dans lequel une relation cristallographique distincte existe entre les orientations du substrat et le matériau qui y est déposé.
Qu’est-ce que le CVD dans les semi-conducteurs ?
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est la technique industrielle la plus largement adoptée pour produire des films minces semi-conducteurs et des micro- et nano-structures complexes en couches.
Que veut dire Topotactique ?
Filtres. (chimie) Décrire une transformation, au sein d’un réseau cristallin, impliquant le déplacement ou l’échange d’atomes.
Qu’est-ce que la méthode de réaction à l’état solide?
La méthode de réaction à l’état solide est une méthode de synthèse à haute température pour préparer un matériau luminophore. La réaction démarre spontanément pendant le processus de mélange, accompagnée d’un dégagement de chaleur et de vapeur d’eau. Parfois, l’acétone est utilisée comme milieu de mélange pour obtenir un mélange homogène.
Quelle technique de croissance épitaxiale est la meilleure en termes de contrôle de la croissance ?
Le LPE présente plusieurs avantages par rapport aux diverses techniques d’épitaxie en phase vapeur, tels que des taux de croissance élevés, une ségrégation favorable des impuretés, la capacité de produire des faces planes, la suppression de certains défauts, l’absence de matériaux toxiques et un faible coût.
Quels sont les avantages de MBE par rapport à VPE ?
Un avantage particulier du MBE est qu’il permet la croissance des cristaux à des températures inférieures à celles utilisées dans les techniques conventionnelles. La croissance du MBE à source de gaz est régie par l’adsorption dissociative des molécules de gaz et la désorption suivante des produits dissociés qui laissent des atomes de Si sur des substrats de Si.
Quel est le taux de croissance des cristaux ?
Croissance cristalline : définition. • Le taux de croissance linéaire est le taux de croissance d’un visage dans le. direction normale à la face : vitesse dans la coordonnée interne. • La croissance est un phénomène cinétique induit par la sursaturation ( > 1), qui est déterminée par les données thermodynamiques.
Quelle est la différence fondamentale entre la croissance épitaxiale et la croissance cristalline ?
Le monocristal signifie l’orientation d’un cristal. Le film mince épitaxial présente également un monocristal, mais les films minces épitaxiaux sont développés avec une nature monocristalline par correspondance de réseau entre le film mince et le substrat.
Quels sont les paramètres clés à contrôler en croissance épitaxiale ?
Le processus de croissance implique l’optimisation des principaux paramètres, c’est-à-dire la température, la pression et les flux de gaz, pour obtenir un contrôle total de la sélectivité (c’est-à-dire la nucléation du polysilicium sur la zone de champ), le facettage des parois latérales, la génération de défauts et l’autodopage.
Comment sont fabriquées les tranches de silicium ?
Pour fabriquer des plaquettes, le silicium est purifié, fondu et refroidi pour former un lingot, qui est ensuite découpé en tranches appelées plaquettes. Les puces sont construites simultanément dans une formation de grille sur la surface de la tranche dans une installation de fabrication ou “fab”.
Que sont les couches minces épitaxiales ?
Un film épitaxial est un revêtement mince, souvent d’épaisseur nm, qui est souvent appliqué par ALD (Atomic Layer Deposition) avec une structure monocristalline liée à son substrat.
Qu’est-ce que la diffusion dans la fabrication de circuits intégrés ?
La diffusion est un processus par lequel les atomes se déplacent d’une région à forte concentration vers une région à faible concentration. Dans la fabrication VLSI, il s’agit d’une méthode pour introduire des atomes d’impuretés (dopants) dans le silicium pour modifier sa résistivité. La vitesse à laquelle les dopants se diffusent dans le silicium est fortement fonction de la température.
Comment fonctionne l’épitaxie par jets moléculaires ?
Dans le MBE, des faisceaux séparés déclenchent différentes molécules et elles s’accumulent à la surface du substrat, bien que plus lentement que dans l’impression à jet d’encre – le MBE peut prendre des heures ! Photo : L’épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) consiste à créer un monocristal en construisant des couches ordonnées de molécules au-dessus d’un substrat (couche de base).
Quelle orientation du silicium est la plus utilisée dans la fabrication VLSI ?
Lorsqu’elle est découpée en tranches, la surface est alignée dans l’une des nombreuses directions relatives connues sous le nom d’orientations cristallines. L’orientation est définie par l’indice de Miller, les faces (100) ou (111) étant les plus courantes pour le silicium.