Un transistor à effet de champ (FET) est un dispositif à trois bornes qui peut contrôler la quantité d’électricité autorisée à passer. Les transistors FET sont capables de commuter ou de contrôler l’électricité très rapidement. Certains transistors à effet de champ sont capables de gérer de grandes quantités d’énergie électrique, ce qui les rend utiles dans une grande variété d’équipements électroniques et électriques utilisés dans des applications grand public, commerciales et militaires.
Le transistor FET a généralement des bornes de source, de drain et de grille. La résistance électrique entre la source et le drain peut être manipulée en modifiant le potentiel électrique, ou la tension, entre la grille et la source. Compte tenu de cet effet, le transistor FET peut être utilisé dans n’importe quel circuit électronique, tel que des alimentations, des amplificateurs et des récepteurs.
Les types de transistors FET comprennent le FET à jonction (JFET) et le FET à oxyde métallique (MOSFET). Le JFET a une jonction entre la grille et la source, tandis que le transistor MOSFET a une grille isolée de la source. Les transistors FET peuvent également être classés comme dispositifs d’appauvrissement ou d’amélioration. Pour un transistor FET à déplétion, le canal conducteur principal entre la source et le drain est initialement conducteur lorsqu’il y a une tension nulle entre la grille et la source. Pour un transistor à enrichissement, le canal conducteur principal est quasiment absent lorsqu’il y a une tension nulle entre la grille et la source.
Dans les circuits électroniques, les dispositifs de commutation agissent comme un interrupteur d’éclairage ordinaire, en l’allumant ou en l’éteignant. Outre la commutation, un appareil peut contrôler le débit de courant ou de charge électrique à travers un chemin spécifique sur le circuit. Cette capacité permet de construire de nombreux circuits utiles, tels que des amplificateurs et des récepteurs, utilisés dans des appareils commerciaux tels que des chaînes stéréo, des radios, des téléviseurs et des ordinateurs personnels.
Avant la découverte du transistor FET, l’industrie électronique utilisait le transistor à jonction bipolaire (BJT), qui lui-même était précédé du tube à vide (VT), un tube en verre scellé avec au moins trois bornes principales appelées cathode, plaque et grille. situé à l’intérieur du vide. La charge électrique de la cathode à la plaque vole dans le vide via un état gazeux, tandis que la grille contrôle le flux d’électricité entre la plaque et la cathode. Par une conception appropriée, le tube à vide peut être utilisé comme interrupteur ou comme amplificateur, comme c’est le plus courant. Dans ce cas, il accepte de faibles niveaux de signaux, tels que le son ou la radio, et produit des répliques de haut niveau ou des versions amplifiées.
Lorsque le BJT a commencé à être utilisé à grande échelle, les tubes à vide étaient réservés à des applications spéciales où l’économie d’énergie n’était pas une priorité. Le BJT a été le premier appareil à semi-conducteurs car les charges ont traversé un matériau solide tout le long. D’autres développements ont introduit le transistor FET, qui a fourni des performances supérieures à faible bruit, ce qui le rend le mieux adapté aux applications spéciales telles que les communications radio et optiques.